X-ray探測器

CCD 已經變得越來越先進,以滿足商業和科研市場不斷變化的需求。在科研市場中,CCD 已通過多種方式進行改進和優化,以在廣泛的應用中持續提供高性能的表現—從光譜學和半導體測試到生物成像和基因研究。

在X-ray應用上對科學級 CCD 的設計修改,最初是出於對 X 射線天文學應用的興趣,後來擴展到同步加速器設施中 X 射線成像和 X 射線光譜學的領域。CCD探測器經過改良,可檢測能量範圍從遠低於 100 eV 一直到 100 keV 或更高(整整三個數量級)的 X 射線,這使得對於需要高靈敏度與二維探測器的研究是非常寶貴的。這些設備用於許多 X 射線技術,包括 X 射線顯微鏡、X 射線微影製程、X 射線光譜學、X 射線晶體學和 X 射線非破壞性檢測。

在直接探測型相機中,CCD 直接暴露於入射的 X 射線光子,可以直接吸收光子。根據 X 射線的能量範圍,可以使用沒有抗反射 (AR) 塗層的背照式 CCD,也可以使用前照式或背照式深耗盡型 CCD。

X-ray探測器 (5eV - 30keV)

PI-MTE3系列

全真空相機
具有靈活散射角
2k x 2k 和 4k x 4k 像素
~10 eV 至 30 keV 探測範圍

SOPHIA-XO系列

~5 eV 至 30 keV 探測範圍
2k x 2k 和 4k x 4k 像素
1、2 和 4 多個讀出端口
-90℃ 低溫冷卻

PIXIS-XO系列

~30 eV 至 20 keV 探測範圍
無抗反射塗層
多種CCD尺寸可選擇
可旋轉的 ConFlat 設計

PIXIS-XB系列

~3 至 20 keV 探測範圍
真空鈹 (Be) 窗口
靈活雙放大器讀出設計

PIXIS-XF系列

間接探測型
~3 至 20 keV 探測範圍
多種螢光屏可快速更換
高通量1:1光纖設計

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