膜厚: 0.2 – 2.0um
應用: IC製造
相容光阻: S1805™、 S1808™、 S1811™、S1813™、S1818™
KL5300 系列是用於 i-Line、g-Line 和 broadband 的正型光阻。它們具有高解析度和優秀的製程條件容許性。 為使用業界標準 0.26 N TMAH 顯影劑而設計，可達到 0.55 µm 的解析度。
膜厚: 2.5 – 12um
應用: 先進封裝、TSV、凸塊 (Bumping)、電鍍
相容光阻: SPR™ 220-3.0/S1827™、SPR™ 220-4.5、SPR™ 220-7.0、S1827™
KL6000 系列是用於 i-Line、g-Line 和 broadband 的正型光阻，它們具有高光靈敏度和優秀的製程條件容許性。 為使用業界標準 0.26 N TMAH 顯影劑而設計，不需要PEB。
膜厚: 5 – 25um
應用: 先進封裝、TSV、凸塊 (Bumping)、電鍍
相容光阻: AZ®P4620、AZ®P4000 Series、AZ®9200 Series、AZ®10XT Series
K-PRO™ 光阻是適用於先進封裝的i-Line、g-Line 和 broadband 的正型光阻。它們相容與電鍍金屬像是銅、純錫和鎳，它們具有曝光高靈敏度和優秀的製程條件容許性。K-PRO™ 正型光阻是設計用於先進晶圓級封裝、MEMS 和 3D 微影製程應用的各種領域。
膜厚: 0.1 – 2.7um
應用: 電子束直寫微影、多層T-gate製造、X 射線 LIGA、晶圓減薄保護塗層
相容光阻: 950 PMMA、495 PMMA、MMA(8.5)MAA
HARP™ PMMA光阻專為高解析度直寫電子束光阻而設計。 當與 HARP-C™ 共聚物結合使用時，HARP 多層系統是 T-gate 製造的理想選擇。 HARP™ PMMA 對各種基材具有出色的附著力，可用作為晶圓減薄的保護塗層、鍵結黏合劑和犧牲層。
