膜厚: 1 – 15um
應用: 電鍍、金屬沉積、TSV、RIE 蝕刻
相容光阻:
KL NPR 是一種酚醛樹脂(novolac)負型光阻，被設計用於電鍍、金屬沉積、TSV 和 RIE 蝕刻。它具有高達 20 µm 的單塗層膜厚度，並具有垂直側壁和高縱橫比。KL NPR 具有熱穩定性，可承受高達 130⁰C 的溫度而不會造成輪廓變形。
膜厚: 2 – 10um
應用: 化合物半導體、LED
相容光阻: AZ® nLOF™ 2020, AZ® nLOF™ 2035, AZ® nLOF™ 2070
APOL-LO 3200 系列是可形成倒斜角的進階負型光阻，適用於剝離成形製程(Lift-Off)。可客製化調整倒斜角角度。
膜厚: 2 – 100um
應用: MEMS、micro arrays、VSCEL、waveguides、antennas、sensors、microfluidics、PDMS molding、pixel walls、fluidic channels、inkjet nozzles、spacers
相容光阻: SU-8
SQ系列是SU-8環氧樹脂的負型光阻，專為聚合物MEMS、微流體、微加工和微電子設計。它針對 2 至 100 微米的厚膜應用進行了最佳化。 SU-8 環氧光阻可產生具有優異的熱穩定性的清晰影像，這對於厚膜應用至關重要。 SQ 系列的特點是厚膜的垂直側壁，非常適合永久結構應用，包括 MEMS、微陣列、VSCEL、波導、天線、感測器、微流道、PDMS 成型、像素牆、流體通道、噴墨噴嘴等。
膜厚: 2 – 150um
應用: MEMS、micro arrays、VSCEL、waveguides、antennas、sensors、microfluidics、PDMS molding、pixel walls、fluidic channels、inkjet nozzles、spacers
相容光阻: SU-8 2000
SQ QuickDry 是一種環氧基負性光阻，專為聚合物 MEMS、微流體、微機械加工和各種微電子應用而設計。該系統針對厚度達 200 微米的薄膜和厚膜進行了最佳化，並使用更快乾燥的溶劑，可最大限度地縮短處理時間，從而提高產量。
