負型光阻 (Negative Photoresist)

負型光阻具有特別的化學結構特性,可使暴露於光的區域比未暴露於光的區有更慢的顯影速度。理論上,孤立的線條或島狀結構最適合使用負型光阻,而需要保留大片空間較適合正型光阻。 對於負型光阻,暴露在紫外線下會導致光阻的化學結構發生交聯(crosslink)/聚合(polymerize)。而交聯聚合的區域不是變得更易溶解,而是變得極難溶解,這與正型光阻剛好相反。導致被紫外線曝光的區域則會保留下來,而光阻顯影劑溶液會去除未曝光的區域。 

KL NPR系列 負型光阻

膜厚: 1 – 15um
應用: 電鍍、金屬沉積、TSV、RIE 蝕刻
相容光阻: 

KL NPR 是一種酚醛樹脂(novolac)負型光阻,被設計用於電鍍、金屬沉積、TSV 和 RIE 蝕刻。它具有高達 20 µm 的單塗層膜厚度,並具有垂直側壁和高縱橫比。KL NPR 具有熱穩定性,可承受高達 130⁰C 的溫度而不會造成輪廓變形。

APOL-LO 3200系列 金屬剝離負型光阻

膜厚: 2 – 10um
應用: 化合物半導體、LED
相容光阻: AZ® nLOF™ 2020, AZ® nLOF™ 2035, AZ® nLOF™ 2070

APOL-LO 3200 系列是可形成倒斜角的進階負型光阻,適用於剝離成形製程(Lift-Off)。可客製化調整倒斜角角度。

HARE SQ系列 永久性Epoxy負型光阻

膜厚: 2 – 100um
應用: MEMS、micro arrays、VSCEL、waveguides、antennas、sensors、microfluidics、PDMS molding、pixel walls、fluidic channels、inkjet nozzles、spacers
相容光阻: SU-8

HARE SQ™ 是一種環氧樹脂負型光阻,專為 MEMS、微流道、微機械加工和其他永久性微電子結構的應用而設計。 HARE SQ™ 對 NUV、i-line 和broadband有光敏感度。 薄膜厚度為 2 至 200 微米。用於永久性應用,包括 MEMS、微陣列、VSCEL、波導、天線、感測器、微流道、PDMS 成型、像素牆、流體通道、噴墨噴嘴等。

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