• 提供四點探頭 (4PP) 和非接觸式渦流 (EC) 配置
• 100mm Z軸樣品掃瞄範圍，具有粗略和精確的高度控制
• 具有幾十年導電和半導體薄膜電阻測量豐富的經驗
• 客戶可使用矩形、線性、極坐標和自定義的點位進行測繪(mapping)量測
• 高精度 X-Y 平台提供高達 200mm 的行程
• 易於使用的軟體界面
• 與所有 KLA 薄膜電阻探頭兼容
4PP 提供了一種簡單而直接的電阻測量方法，其中由四個導電引腳組成的探針以可控制的力道接觸導電薄膜表面，通常待測的導電層和基板之間有一個非導電阻擋層。 標準引腳配置在兩個外部引腳上施加電流，並測量兩個內部引腳上的電壓。測量薄膜電阻時，導電層厚度應小於探頭引腳間距的 ½。
KLA 開創了 R50 雙配置技術，可測量交替引腳上的電壓、動態修正邊緣效應和調整引腳間距誤差。 KLA 為任何導電薄膜或離子注入層提供廣泛的探針配置，以優化表面材料特性。
EC 提供了一種用於測量導電薄膜的非接觸式技術。 通過線圈施加隨時間改變的電流以產生時變磁場，當靠近導電表面時，在該表面中感應生出時變（渦流）電流。 這些渦流反過來產生它們自己的時變磁場，該磁場與探針線圈耦合，產生與樣品的薄膜電阻成正比的信號變化。
KLA 獨特的 EC 解決方案使用單個頂部探頭，可根據探頭動態調整每個樣品高度的測量點，這對測量精度和可重複性是很關鍵重要的。 EC 方法不受探針尺寸或表面氧化的影響，非常適合以非接觸的方式來量測較柔軟的薄膜。
