金屬剝離光阻主要是應用在金屬電極或導線蒸鍍Lift-off製程中。例如在LED晶粒製造，由於LED電極所使用的金屬材料不易經由蝕刻的方式製作成電路圖形，所以利用拔起（Lift-off）微影製程，得到倒斜角的光阻圖形。使金屬在蒸鍍過程中不會連續性滿布在光阻劑上，再用去光阻劑的方式將未遭金屬布蓋的光阻部份拔起，完成金屬電極的圖案。

半導體製程常用的正型光阻劑，在光學曝光方式下，光阻劑上層接受能量較下層光阻高，使得正型光阻劑成像大部份圖形為上窄下寬，無法經一次曝光方式即得到倒斜角的圖形，而負型光阻劑的成像恰好與正型光阻劑圖像相反，所以負型光阻劑是lift-off製程的最佳選擇。