Vacuum Plasma System

真空電漿系列

與傳統的腔體設計不同，Femto Science具有獨特的專利腔體設計，可以讓腔體裡的任何位置保持均勻的氣流，進而提升電漿在腔體裡的均勻性。Femto Science腔體結構根據氣流的方向分為水平型和垂直型，皆提供出色的工藝均勻性。在電極配置也有Dual Mode靈活的設計，透過軟體可切換腔體電極位置，選擇上電極PE Mode或是下電極RIE Mode 來做不同的應用。典型應用包含去光阻、PECVD、表面清潔改質和RIE蝕刻等。

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專利真空腔體設計

與傳統的真空腔體設計不同，Femto Science的獨家專利設計，可使腔體內的任何位置都能保持均勻的氣流。腔室的結構根據氣流的方向分為水平型和垂直型，Femto Science的專利腔體設計皆可提供出色的工藝均勻性。

在腔體製造方面，Femto Science則是採用單塊鋁材無焊接式製造，可大大降低真空洩漏的可能性。

(Patent No. 10-1701381, 10-1697205, Korea)

單電極 (PE Mode / RIE Mode)配置

電容耦合電漿(Capacitive Coupled Plasma)被廣泛應用在許多電漿製程上，一般可以分為兩個種類。一種是Reactive Neutral Domination和另一種Reactive Ion Domination。

1), Neutral Domination Mode

– 這個模式通常被稱為PE Mode (Plasma Etching = Plasma Chemical Etching)
– 在這模式下，樣品載盤是接地極(grounded electrode)，樣品在電漿過程不會受到離子轟擊(ion bombardment)。典型的應用包含氧電漿清潔、PECVD和表面改質。